深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領 | |
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STD20NF06LT4 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
STP20NF06L |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
STP20NF06L |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO220 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
D20NF06L |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
STD20NF06LT4 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
D20NF06L |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
STD20NF06LT4 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
STD20NF06LAG |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |