| 型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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| SI2318CDS-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| Si2318DS-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318BDS-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318CDS-T1-GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 6000 | 國(guó)產(chǎn)品牌 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SQ2318AES-T1_GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 18000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318DS-T1-E3-MS |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 18500 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TSM2318CX RFG |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | TSC/臺(tái)灣半導(dǎo)體 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318CDS-T1-GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | VISHAY/威世 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SQ2318AES-T1-GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 45000 | VISHAY/威世 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| TSM2318CX RFG |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 8000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-23 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318BDS-T1-GE3-VB |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 8000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318DS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318CDS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| APM2318AC-TRL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SPN2318S23RGB |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318A |
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深圳市友利創(chuàng)電子有限公司 | 100 | UMW廣東友臺(tái)半導(dǎo)體 | 5 | SOT-23(TO-236) | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AP2318GEN |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318BDS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AP2318GEN |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318BDS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| APM2318AC-TRL |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SPN2318S23RGB |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318DS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| SI2318CDS-T1-GE3 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-3 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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