深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領 | |
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| ZXMN6A11GTA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08E6TA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A09GTA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A25DN8 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11Z |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-89-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A07ZTA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-89-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A07F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A25DN8 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SO-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11Z |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT89-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A07ZTA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT89-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A07F |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT-23-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08E6TA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT23-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11GTA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A09GTA |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A25KTC |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A09KTC |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08KTC |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08GQTA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 45000 | DIODES/美臺 | 20 | SOT-223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08GQTA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 2000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-223-3 | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11ZTA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 18300 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-89 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08E6TA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 18300 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-26 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A25N8TA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SO-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A25GTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A25DN8TA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SO-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11ZTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11GTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11DN8TA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SO-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A09GTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A09GQTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A09DN8TA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SO-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08GTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08GQTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT223 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08EQTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT26(SC74R) | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08E6TA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT26 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08E6QTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT26 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A07ZTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT89 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A07FTA |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-23 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A25GTA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 1000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-223-4 | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A11GTA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 1000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-223-3 | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A09GTA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 1000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-223-3 | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| ZXMN6A08GTA |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 1000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-223-3 | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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