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2N7002LT1

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  • 2N7002LT1G

  • 優(yōu)勢

  • 30000

  • ON

  • SOT23/08+

  • 此產(chǎn)品原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨本公司是能開17%稅票單位精專于為...

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2N7002LT1外觀圖

  • 標準包裝：10
  • 類別：分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點：邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：115mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝：剪切帶 (CT)
  • 其它名稱：2N7002LT1OSCT
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