其它信息：

單2.7～3.6V電壓；串行外設(shè)接口（SPI）兼容；20MHz的最高時(shí)鐘頻率；頁(yè)編程操作：?jiǎn)沃芷谠倬幊蹋ú脸途幊蹋?FONT face=Verdana>1024頁(yè)（264字節(jié)/頁(yè)）主存儲(chǔ)器；支持頁(yè)和塊擦除操作；2個(gè)264字節(jié)SRAM數(shù)據(jù)緩沖器，允許接收數(shù)據(jù)，當(dāng)非易失性存儲(chǔ)再編程時(shí)；通過(guò)翼個(gè)陣列連續(xù)讀能力：理想的代碼跟蹤應(yīng)用；低功耗：典型的4mA工作讀電流，典型的2μACMOS待機(jī)電流；硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能；100%兼容AT45DB021和AT45DB021A；5.0V容錯(cuò)輸入：SI，SCK，CS，RESET和WP引腳；商業(yè)級(jí)和工業(yè)級(jí)溫度范圍
技術(shù)應(yīng)用：

AT45DB021B在電力參數(shù)監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用
AT45DB021B在電力參數(shù)監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用西北工業(yè)大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院梅曉東概述在智能電力設(shè)備中，往往要對(duì)電網(wǎng)的一些歷史數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄，以便更...
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基于MSP430F12x2的SPI數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展

...入SI、串行輸出SO、串行時(shí)鐘SCK)在片選信號(hào)的配合下進(jìn)行訪問(wèn)。這種串行接口FLAS[{存儲(chǔ)器十分適用于要求存儲(chǔ)量大而引腳資源較少、電源電壓低和低功耗的應(yīng)用領(lǐng)域。３ AT45DB081的操作及操作碼對(duì)AT45DB021B的操作是由主機(jī)發(fā)出的指令控制，一個(gè)有效的指令在的下降沿開(kāi)始，包括一個(gè)8位的操作碼和要進(jìn)行操作的頁(yè)地址和緩沖區(qū)地址的位置。表1列出了AT45DB021B的主要的操作方式和對(duì)應(yīng)的操作碼...

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