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MMDF2N02ER2G

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MMDF2N02ER2G外觀圖

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 陣列
  • 系列：-
  • FET 型：2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：3.6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫歐 @ 2.2A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：532pF @ 16V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOICN
  • 包裝：帶卷 (TR)
  • 其它名稱：MMDF2N02ER2GOS
MMDF2N02ER2G 相關(guān)信息
  • MMDF2N02ER2G的技術(shù)參數(shù)
    產(chǎn)品型號(hào):MMDF2N02ER2G源漏極間雪崩電壓VBR(V):25源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):100最大漏極電流Id(on)(A):3.600通道極性:N/N溝道封裝/溫度(℃):SO-8/-55~150描述:2A,25V,SO-8,N溝道功率雙MOSFET價(jià)格/1片(套):￥6.40 來源:xiangxueqin
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