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NTA4151PT1G

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  • NTA4151PT1G

  • 優(yōu)勢(shì)

  • 3200

  • ON

  • SOT523/22+PB

  • 進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，特價(jià)銷售，庫(kù)存數(shù)量不止，歡迎咨詢

  • NTA4151PT1G

    NTA4151PT1G

  • 12560

  • 現(xiàn)貨ON

  • SOT416/2025+

  • 全新原裝，一級(jí)代理價(jià)格優(yōu)勢(shì)，可長(zhǎng)期訂貨

NTA4151PT1G 供應(yīng)商推薦
  • 深圳市凱鑫躍電子有限公司
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  • 大?。?6.7KB
  • 廠家：ON Semiconductor
  • 描述： P CHANNEL MOSFET, -20V, 760mA SC-75; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:760mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.36ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-0.45V ;RoHS Compliant: Yes
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：760mA
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫歐 @ 350mA，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs：2.1nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds：156pF @ 5V
  • 功率 - 最大：301mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：SC-75，SOT-416
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416
  • 包裝：帶卷 (TR)
  • 其它名稱：NTA4151PT1GOSTR
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    [相關(guān)信息]...mm×1.6mm，厚度為0.6mm至1.0mm，有助于節(jié)省板空間。該公司將齊納二極管集成入Trench MOSFET的門(mén)，以此提供良好的ESD保護(hù)。 這八款低壓Trench MOSFET器件中的NTA4151PT1、NTE4151PT1、NTZS3151PT1和NTZD3152PT1是用于850mA高端負(fù)載開(kāi)關(guān)的P溝道M...    NTA4153NT1G[技術(shù)參數(shù)]標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭：FET - 單 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)NTA7002NT1[技術(shù)參數(shù)]標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭：FET - 單 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)NTA7002NT1G[技術(shù)參數(shù)]標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭：FET - 單 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén) NTACFTD200/04 NTACT250/12 NTAW56NAA NTB10N40 NTB10N60 NTB125N02R NTB125N02RG NTB125N02RT4 NTB125N02RT4G NTB125N2 NTB12N50 NTB12N50T4 NTB13N10 NTB13N10G NTB13N10T4 NTB13N10T4G NTB18N06
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