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NTMS4503NR2G

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NTMS4503NR2G外觀圖

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類：MOSFET
  • 晶體管極性：N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓：28 V
  • 閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流：14 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0088 Ohms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作溫度：+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體：SOIC-8 Narrow
  • 封裝：Reel
  • 下降時間：23 ns
  • 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：30 S
  • 最小工作溫度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 上升時間：70 ns
  • 工廠包裝數(shù)量：2500
  • 典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
NTMS4503NR2G 相關(guān)信息
  • NTMS4503NR2G的技術(shù)參數(shù)
    產(chǎn)品型號:NTMS4503NR2G源漏極間雪崩電壓VBR(V):28源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):7最大漏極電流Id(on)(A):14通道極性:N溝道封裝/溫度(℃):SOIC-8/-55 ~150描述:28 V, 14 A,功率MOSFET價格/1片(套):￥6.00 來源:xiangxueqin
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