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型號廠家封裝批號數(shù)量日期價格

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廠家：SAMSUNG [Samsung semiconductor]
內(nèi)容：1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory

其它信息：
電源電壓：Vcc＝2.7～3.6V；結構：存儲器單元陣列：(1G＋32M)×8位,數(shù)據(jù)存儲器：(2K＋64)×8位；自動編程和擦除：頁編程：(2K＋64)字節(jié),塊擦除：(128K＋4K)字節(jié)；頁讀操作：頁大�。�(2K64)字節(jié),隨機存取：20μs(最大值),串行訪問：25ns(最小值)；快速寫周期時間：編程時間：200μs(典型值),塊擦除時間：1.5ms(典型值)；指令/地址/數(shù)據(jù)復用I/O端口；硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉換過程中編程/擦除鎖定；可靠的CMOS準浮柵技術,100k次編程/擦除周期,10年的數(shù)據(jù)保留時間；指令存儲器操作；封裝：48引腳的TSOP封裝,52引腳的TLGA封裝