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MMBFJ175LT1G

更新時間:2025-06-12 00:26:22

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳中和芯電子有限公司
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深圳市信科微科技有限公司
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MMBFJ175LT1G外觀圖

MMBFJ175LT1G

ON Semiconductor JFET（結(jié)點場效應

JFET SS P-CHAN 25V SOT23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MMBFJ175LT1G 概述

MMBFJ175LT1G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為60V，連續(xù)漏極電流（Id）可達2.8A，柵極閾值電壓范圍在1V至3V之間，這使得它非常適合用于電池供電設(shè)備中的電源管理、負載開關(guān)及DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。由于其小尺寸封裝和優(yōu)異的電氣性能，MMBFJ175LT1G也廣泛應用于便攜式電子設(shè)備中，如智能手機和平板電腦等，在這些設(shè)備中需要高效能且節(jié)省空間的元件來優(yōu)化整體設(shè)計。在實際應用時，需注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確?？煽块_啟MOSFET，并根據(jù)具體電路需求進行適當?shù)纳嵩O(shè)計。

MMBFJ175LT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
JFET（結(jié)點場效應
系列
-
電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
7mA @ 15V
漏極至源極電壓(Vdss)
-
漏極電流 (Id) - 最大
-
FET 型
P 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
30V
電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id
3V @ 10nA
輸入電容 (Ciss) @ Vds
11pF @ 10V（VGS）
電阻 - RDS（開）
125 歐姆
安裝類型
表面貼裝
包裝
帶卷 (TR)
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設(shè)備封裝
SOT-23-3（TO-236）
功率 - 最大
225mW
其它名稱
MMBFJ175LT1GOSMMBFJ175LT1GOS-NDMMBFJ175LT1GOSTR

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MMBF0201
MMBF0201NLT1
MMBF0201NLT1G
MMBF0201N-NL
MMBF0202PLT1
MMBF0202PLT1G
MX25L6406EM2I-12G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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