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MT49H32M18FM-25E:B

更新時間:2025-07-12 23:16:30

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市世紀成達電子科技有限公
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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安富利（深圳）商貿(mào)有限公司
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華芯盛世半導體（深圳）有限公
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AVNAT GROUP（Asia Pacific）L
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MT49H32M18FM-25E:B外觀圖

MT49H32M18FM-25E:B

Micron Technology Inc 存儲器

IC RLDRAM 576MB 144UBGA

封裝:144-TBGA

MT49H32M18FM-25E:B 概述

MT49H32M18FM-25E:B是Micron Technology生產(chǎn)的一款高速CMOS SDRAM存儲器。該芯片采用先進的工藝技術(shù)，具有較高的性能和可靠性。它提供了32M x 18位的存儲容量，在眾多應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其典型應(yīng)用場景包括網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機以及其他需要高速數(shù)據(jù)處理的通信設(shè)備。此外，還適用于工業(yè)控制、醫(yī)療電子以及高端消費電子產(chǎn)品中。此款SDRAM的工作電壓為2.5V，時鐘頻率高達250MHz，能夠滿足高速數(shù)據(jù)傳輸需求。在實際應(yīng)用中，需注意供電穩(wěn)定性與信號完整性以確保正常工作。電路設(shè)計時應(yīng)遵循推薦的PCB布局指導原則來優(yōu)化性能。

MT49H32M18FM-25E:B 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
集成電路 (IC)
家庭
存儲器
系列
-
格式 - 存儲器
RAM
存儲器類型
RLDRAM
存儲容量
576M（32M x 18）
速度
400MHz
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
0°C ~ 95°C
封裝/外殼
144-TBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
144-µBGA（18.5x11）
包裝
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