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MTD3055V

更新時間:2025-07-04 12:47:45

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
MTD3055V
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只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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全新原裝進口現(xiàn)貨熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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深圳市世紀(jì)成達電子科技有限公
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深圳市廣弘電子有限公司
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MTD3055V外觀圖

MTD3055V

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MTD3055V 概述

MTD3055V是由MOSPEC公司生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其設(shè)計旨在優(yōu)化高頻開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動電路中的性能。在開關(guān)電源中，MTD3055V能夠減少能量損耗，提高整體效率。對于電機驅(qū)動應(yīng)用，它能提供精確的電流控制，確保電機平穩(wěn)運行。此外，在音頻放大器等需要高保真度的應(yīng)用場景下，此款MOSFET也能表現(xiàn)出色。使用時應(yīng)注意其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達12A。散熱設(shè)計至關(guān)重要，建議根據(jù)實際工作條件選擇合適的散熱器，并確保良好的電氣連接以避免過熱損壞。在進行PCB布局時，盡量縮短源極與柵極之間的走線長度，以減少寄生電感對開關(guān)性能的影響。

MTD3055V 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
500pF @ 25V
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MTD3055V-NDMTD3055VTR

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