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MWI75-12T7T

更新时间:2025-05-15 21:44:19
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MWI75-12T7T外观图

MWI75-12T7T

IXYS IGBT

IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3

  • 封装:E2
MWI75-12T7T 规格参数
  • 标准包装
    6
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    IGBT
  • 系列
    -
  • IGBT 类型
    沟道
  • 配置
    三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    2.15V @ 15V，75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    110A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    4mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
    5.35nF @ 25V
  • 功率 - 最大
    355W
  • 输入
    标准型
  • NTC 热敏电阻
    是
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    E2
  • 供应商设备封装
    E2
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