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NAND04GW3B2BN6

更新時(shí)間:2025-06-21 15:49:34

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說(shuō)明
詢價(jià)

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，提供BOM一站式配單服務(wù)
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全新原裝現(xiàn)貨，長(zhǎng)期供應(yīng)，免費(fèi)送樣

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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NAND04GW3B2BN6 概述

NAND04GW3B2BN6是Micron Technology生產(chǎn)的一款NAND閃存芯片。這款芯片提供高密度存儲(chǔ)解決方案，容量為4Gb（512MB）。它采用MLC（多層單元）技術(shù)，支持高速讀寫(xiě)操作，適用于需要大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。典型應(yīng)用包括固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式多媒體卡（eMMC）、移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品。在嵌入式系統(tǒng)中，它常用于操作系統(tǒng)鏡像、用戶數(shù)據(jù)和應(yīng)用程序的存儲(chǔ)。該芯片支持標(biāo)準(zhǔn)的NAND接口協(xié)議，便于與主控芯片集成。使用時(shí)需注意防止過(guò)電壓和靜電損壞，建議在設(shè)計(jì)電路時(shí)加入適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施。對(duì)于需要頻繁擦寫(xiě)的場(chǎng)合，應(yīng)考慮磨損均衡算法以延長(zhǎng)使用壽命。在PCB布局時(shí)，盡量縮短走線長(zhǎng)度并保持信號(hào)完整性，以確保穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸速率。

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NAND04GW3B2BN6
NAND04GW3B2BN6E
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NAND FLASH
NAND016R3B2CZA6
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NRF24L01

IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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