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NTD23N03RG

更新時間:2025-06-13 19:27:23

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NTD23N03RG外觀圖

NTD23N03RG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD23N03RG 概述

NTD23N03RG是一款由ON Semiconductor生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，適用于表面貼裝應用。該MOSFET的最大漏源電壓為30V，在柵極 - 源極電壓為10V時，其導通電阻僅為35mΩ（最大值），這有助于降低功耗并提高效率。此款MOSFET適合多種應用場景，如直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等。在電源管理電路中，NTD23N03RG能夠提供快速的開關(guān)速度和低開關(guān)損耗，有利于提升系統(tǒng)整體性能。使用時應注意遵循推薦的散熱設計以確保穩(wěn)定工作，例如添加足夠的銅箔面積用于散熱，并且根據(jù)實際電流大小選擇合適的PCB走線寬度以減少發(fā)熱。

NTD23N03RG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
3.76nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
225pF @ 20V
功率 - 最大
1.14W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
管件

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NTD20N03L
NTD20N03L27
NTD20N03L27G
NTD20N03L27T4
NJW0281G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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