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NTD40N03R

更新時(shí)間:2025-06-10 21:53:58

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳寶芯林電子科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司 展會(huì)宣傳
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十年配單，只做原裝

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深圳市楚勝電子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市宏世佳電子科技有限公司
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全新原裝、公司現(xiàn)貨熱賣

藍(lán)界科技（深圳）有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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深圳市龍勝微科技有限公司
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注重品質(zhì)，價(jià)格優(yōu)勢

深圳市金燦利電子科技有限公司
NTD40N03R
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市華美銳電子有限公司
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NTD40N03R 概述

NTD40N03R是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力，適用于多種電源管理應(yīng)用。該器件最大漏源電壓為30V，在25℃下連續(xù)漏極電流可達(dá)40A，非常適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)中。在實(shí)際應(yīng)用中，NTD40N03R常被用作低側(cè)開關(guān)，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。由于其低柵極電荷特性，可以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)切換，有助于減少開關(guān)損耗。設(shè)計(jì)時(shí)需注意柵極驅(qū)動(dòng)電壓的選擇，確保完全開啟MOSFET以獲得最佳性能。在PCB布局上，盡量減小源極和漏極端子之間的走線長度，以降低寄生電感對電路的影響。此外，還需考慮散熱設(shè)計(jì)，保證器件在大功率工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

NTD40N03R 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
25 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
45 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.0126 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Tube
下降時(shí)間
3.5 ns
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
20 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2.1 W
上升時(shí)間
19.5 ns
工廠包裝數(shù)量
75
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
16.7 ns

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