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NTD4808N-1G

更新時間:2025-06-14 01:48:49

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NTD4808N-1G外觀圖

NTD4808N-1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

NTD4808N-1G 概述

NTD4808N-1G是ON Semiconductor（安森美半導體）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于多種電源管理應用。它在直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等電路中表現(xiàn)出色。在筆記本電腦和平板電腦的電源管理系統(tǒng)中，NTD4808N-1G可用于實現(xiàn)高效能的電壓調(diào)節(jié)；在電動工具的電機控制電路里，能夠快速響應并提供足夠的驅(qū)動能力。此外，在LED照明系統(tǒng)中作為開關(guān)元件使用時，有助于提高系統(tǒng)的整體效率。實際應用時，應注意正確選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)性能，避免因過大的寄生電感引起振蕩。設計PCB布局時應盡量減小源極引腳的走線電感，以降低開關(guān)損耗。對于高頻應用場合，還應考慮適當?shù)纳岽胧?，確保MOSFET在安全工作區(qū)域內(nèi)運行。同時，根據(jù)具體需求選擇合適的柵極閾值電壓范圍，確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

NTD4808N-1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1538pF @ 12V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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NTD40N03R
NTD40N03R-1G
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NTD40N03RT4G
NTD410
NE555P

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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