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NTD4963NT4G

更新時間:2025-07-04 01:25:40

供應商
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詢價

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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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只做原裝假一賠萬

深圳市金勝達微科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市譽輝天成電子有限公司
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全新原裝進口現(xiàn)貨，大量庫存.長期供應.量大價優(yōu)

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NTD4963NT4G外觀圖

NTD4963NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 8.1A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD4963NT4G 概述

NTD4963NT4G是安森美半導體生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用小巧的TSOP-6封裝，非常適合需要緊湊設計的應用場景。其最大漏源電壓（VDS）為30V，在25℃條件下連續(xù)漏極電流（ID）可達18A。該MOSFET具有低導通電阻（RDS(on)），典型值在4.5mΩ左右（當VGS = 10V時），這有助于減少導通損耗，提高效率。它廣泛應用于直流 - 直流轉換器、負載開關以及電池管理等電源管理系統(tǒng)中。使用時需注意散熱設計以確保器件工作在安全溫度范圍內，并且在PCB布局上要盡量減小寄生電感影響以優(yōu)化開關性能。

NTD4963NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.6 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1035pF @ 12V
功率 - 最大
1.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD4963NT4G-NDNTD4963NT4GOSTR

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