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NTHD4P02FT1G

更新時間:2025-06-15 14:58:41

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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NTHD4P02FT1G外觀圖

NTHD4P02FT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET

封裝:8-SMD，扁平引線

NTHD4P02FT1G 概述

NTHD4P02FT1G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用表面貼裝型封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于高效能電源管理應用中。其最大漏極-源極電壓為-20V，適用于需要高效率和緊湊設計的場合。典型應用場景包括便攜式設備、電池供電系統(tǒng)中的負載開關、充電電路以及DC-DC轉換器等。由于其低柵極電荷和低輸入電容，這款MOSFET特別適合高頻操作，有助于減少功耗并提高系統(tǒng)整體效率。在實際使用時，需注意正確選擇驅動電壓以確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)，并避免過熱現(xiàn)象發(fā)生。此外，在進行PCB布局設計時，應盡量減小走線電感以優(yōu)化性能表現(xiàn)。

NTHD4P02FT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
155 毫歐 @ 2.2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
300pF @ 10V
功率 - 最大
1.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
ChipFET?
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTHD4P02FT1G-NDNTHD4P02FT1GOSTR

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