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NTJD5121NT2G

更新時間:2025-07-07 16:22:18

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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NTJD5121NT2G外觀圖

NTJD5121NT2G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJD5121NT2G 概述

NTJD5121NT2G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用超小尺寸的TSOP-6封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為20V，適用于需要高效功率管理的應用場景。典型應用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關、電池充電保護電路等便攜式電子設備中。由于其緊湊的封裝設計，特別適合對空間有嚴格要求的產(chǎn)品如智能手機、平板電腦等消費類電子產(chǎn)品。在實際使用時應注意合理布局PCB以優(yōu)化散熱性能，并根據(jù)具體應用選擇合適的柵極驅(qū)動電阻值以確保穩(wěn)定工作。

NTJD5121NT2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
295mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.6 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
26pF @ 20V
功率 - 最大
250mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)

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