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NTK3142PT1G

更新時間:2025-07-16 09:23:18

供應商
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您是不是要找：NTD3055-094-1G NTD3055-094 NTD2955T4G NTD2955T4 NTD2955G NTD2955-1G NTD2955-001 NTD2955 NTD25P03LT4G NTD25P03LT4 NTMFS4841NT1G

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NTK3142PT1G 概述

NTK3142PT1G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，適用于表面貼裝技術(shù)，具有較小的尺寸和良好的熱性能。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，在VGS=-4.5V時的最大連續(xù)漏極電流(ID)可達-3.1A。該MOSFET適合用于便攜式設(shè)備中的電源管理應用，例如電池供電電路的負載開關(guān)、充電電路以及DC - DC轉(zhuǎn)換器等。由于其低導通電阻(RDS(on))特性，在開關(guān)過程中能夠減少能量損耗，提高效率。在實際應用中，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET充分導通，并且要考慮散熱設(shè)計以保證器件可靠工作。

NTK3142PT1G 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 8 V
漏極連續(xù)電流
0.26 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
4 mOhms at 4.5 V
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-723-3
封裝
Reel
下降時間
15.3 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
400 mW
上升時間
15.3 ns
工廠包裝數(shù)量
4000
典型關(guān)閉延遲時間
37.5 ns

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