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NTMS4706NR2G

更新時間:2025-07-04 20:55:17

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

深圳市顥天電子有限公司
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注重品質，價格優(yōu)勢

深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市萊克訊科技有限公司
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SOP8/1902+
深圳原包裝現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道-增值稅票

深圳市騰樁電子有限公司
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8000
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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一級代理品牌原裝價格優(yōu)勢，可原廠訂貨

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市世紀成達電子科技有限公
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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深圳市品優(yōu)時代科技有限公司
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深圳市威爾健半導體有限公司
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深圳市廣弘電子有限公司
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VBSEMI/臺灣微碧
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市西昂特科技有限公司
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全新原裝進口現(xiàn)貨，假一罰十，歡迎詢價。

深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
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深圳寶芯林電子科技有限公司
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NTMS4706NR2G外觀圖

NTMS4706NR2G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMS4706NR2G 概述

NTMS4706NR2G是由ON Semiconductor生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小巧的SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，這使得它在高效功率管理應用中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為20V，適合用于低壓電路設計。此款MOSFET常被應用于負載開關、電源管理以及電池保護等便攜式設備領域。例如，在智能手機和平板電腦中，可用于控制不同功能模塊的電源供給，以降低待機功耗并延長電池續(xù)航時間。在使用時需注意，由于其柵極對靜電較為敏感，建議在電路設計中加入適當?shù)腅SD保護措施，同時確保驅動電壓符合規(guī)格要求以避免損壞器件。

NTMS4706NR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫歐 @ 10.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
950pF @ 24V
功率 - 最大
830mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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NTMS4107NR2G
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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