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NTP30N06LG

更新時間:2025-09-04 09:16:04

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NTP30N06LG外觀圖

NTP30N06LG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB

封裝:TO-220-3

NTP30N06LG 概述

N0N06LG是由美國安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻特性，典型Rds(on)值在4.5V柵極電壓下為18mΩ。它適用于多種功率管理應用，在直流-直流轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)尤為出色。此MOSFET常見于電源管理電路、電機驅(qū)動和負載切換等場景。例如，在電腦電源適配器或電動車控制器里用來控制電流的流向與大小。使用時應注意其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達30A，確保不超過這些額定值以避免損壞元件。設(shè)計PCB布局時要盡量減小源極和漏極間的走線電感，有助于提升開關(guān)性能并減少電磁干擾。

NTP30N06LG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
46 毫歐 @ 15A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1150pF @ 25V
功率 - 最大
88.2W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
NTP30N06LGOS

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