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RFD16N05

更新時間:2025-05-15 20:00:02

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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只做原裝，原裝，假一罰十

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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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RFD16N05外觀圖

RFD16N05

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

RFD16N05 概述

RFD16N05是來自Rohm（羅姆半導(dǎo)體）的一款N溝道MOSFET，適用于中等功率應(yīng)用。該器件采用TO-252(DPAK)封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性?；A(chǔ)描述方面，它能在5V柵極驅(qū)動下實現(xiàn)穩(wěn)定工作，適合于需要高效能開關(guān)的電路設(shè)計。典型應(yīng)用場景包括電源管理、電機驅(qū)動以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等。在電源管理系統(tǒng)中，可用于同步整流，以提升效率；對于電機驅(qū)動，可以作為H橋或半橋電路的一部分，控制電機正反轉(zhuǎn)。此外，在DC-DC轉(zhuǎn)換器里，能夠幫助提高變換效率，減少能量損耗。使用建議上，在PCB布局時應(yīng)盡量減小源極與漏極間的走線電感，避免影響開關(guān)性能。同時注意散熱設(shè)計，確保在高負(fù)載條件下器件溫度處于安全范圍內(nèi)。若需更詳細(xì)的參數(shù)，請查閱官方數(shù)據(jù)手冊。

RFD16N05 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
75
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
47 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
900pF @ 25V
功率 - 最大
72W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
I-Pak
包裝
管件

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