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RQ3E150GNTB

更新時間:2025-06-02 06:45:56

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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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19,963現貨
系列
-
包裝
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在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
15A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
6.1 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
15.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
850 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），17.2W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
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