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SGP02N120

更新時間:2025-07-10 17:38:26

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SGP02N120 概述

SGP02N120是由Shindengen（新電元工業(yè)）生產(chǎn)的高壓N溝道功率MOSFET。該元件設計用于高電壓和高效率的應用場景，其最大漏源電壓可達1200V，適合于需要高耐壓特性的電力電子設備中。這款MOSFET常應用于不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器以及工業(yè)電機驅動等場合。它具有低導通電阻特性，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)整體效率。在電路設計中，考慮到其較高的擊穿電壓，應確保柵極驅動電壓穩(wěn)定且不超過最大額定值，以避免損壞器件。此外，在PCB布局時需注意散熱設計，保證良好的熱傳導路徑，防止過熱現(xiàn)象發(fā)生。使用此型號時還應注意適當?shù)木彌_電路設計，以保護MOSFET免受瞬態(tài)電壓尖峰的影響。

SGP02N120 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SGx02N120
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3.6V @ 15V，2A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6.2A
功率 - 最大
62W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000683106

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