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SI2303

更新時間:2025-07-10 07:30:06

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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SI2303 概述

SI2303是由Siliconix公司（現(xiàn)為Vishay的一部分）生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于電池供電設備中的電源管理電路。其典型應用包括負載開關、充電器和便攜式電子設備中的DC-DC轉換器。在實際應用中，SI2303通常用于控制小電流負載的開關操作，最大漏極電流ID可達4.5A，這使得它適合于驅動LED、繼電器和其他需要精確控制的小型設備。由于其P溝道結構，該MOSFET可以在不需要額外電平轉換的情況下直接由微控制器或邏輯電路驅動，簡化了設計復雜度。使用時應注意，柵極電壓應保持在安全范圍內(nèi)以避免損壞MOSFET。此外，在高頻應用中，需考慮PCB布局對寄生電感的影響，合理布線以減少電磁干擾。對于需要更高功率處理能力的應用場景，則可能需要選擇更大封裝或不同型號的MOSFET。

SI2303 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,998現(xiàn)貨
系列
UMW
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
1.7A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
190mOhm @ 1.7A, 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
155 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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SI2303BDS-T1-GE3
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