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SI9926BDY

更新時間:2025-07-06 16:14:17

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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蘇州固锝電子股份有限公司
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原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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深圳市岳泰達電子有限公司
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16年老牌企業(yè) 原裝低價現(xiàn)貨

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝正品,配單能手

深圳市科圳威電子有限公司
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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
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只做原裝，一站式BOM配單，假一罰十

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市富科達科技有限公司
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綠盛電子(香港)有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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3000
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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SI9926BDY 概述

SI9926BDY是Vishay公司生產的一款雙N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關以及電池供電設備中的電源管理電路。在實際應用中，由于其低導通電阻特性，可以有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。設計時需注意柵極驅動電壓的選擇，確保MOSFET能夠完全導通。例如，在一個同步降壓轉換器中，SI9926BDY可用作高邊或低邊開關。此外，由于該MOSFET的柵極電容較小，因此對驅動電路的要求相對較低，有助于簡化外圍電路設計。使用時應注意散熱設計，以確保器件在大電流工作條件下穩(wěn)定運行。

SI9926BDY 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 12 V
漏極連續(xù)電流
6.2 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
20 mOhms
配置
Dual
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SO-8
下降時間
50 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.14 W
上升時間
50 ns
工廠包裝數(shù)量
100
商標名
TrenchFET
典型關閉延遲時間
31 ns

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