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STB150NF55T4

更新時間:2025-06-10 01:56:57

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市行進微電子有限公司
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原裝進口，優(yōu)勢渠道，假一賠萬

標準國際（香港）有限公司
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STB150NF55T4外觀圖

STB150NF55T4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB150NF55T4 概述

STB150NF55T4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻高效應用場合。其最大漏源電壓為55V，適合于中低壓應用場景。典型應用包括電源管理、電機驅動、電動工具、直流-直流轉換器等。在電源管理系統(tǒng)中，STB150NF55T4可用于同步整流電路，提升系統(tǒng)效率。使用時應注意控制柵極驅動信號的上升和下降時間，以減少開關損耗。建議在柵極串聯(lián)一個適當阻值的電阻來優(yōu)化開關速度。此外，在PCB布局設計時應盡量縮短源極與漏極端子之間的走線距離，以降低寄生電感對性能的影響。對于電機驅動應用，可以考慮添加適當?shù)纳岽胧┮员ＷC長期穩(wěn)定運行。

STB150NF55T4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STB150NF55 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫歐 @ 60A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
190nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4400pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-7934-6

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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