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STB70NF3LLT4

更新時間:2025-07-03 18:38:04

供應商
產(chǎn)品型號
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市昂芯微科技有限公司
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深圳市賽美科科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市斌騰達科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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STB70NF3LLT4外觀圖

STB70NF3LLT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB70NF3LLT4 概述

STB70NF3LLT4是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用SMD封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時最大導通電阻僅為28mΩ，這有助于降低開關損耗并提高能效。該器件的最大漏源電壓（Vds）為30V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃下可達70A。此MOSFET適用于多種電源管理應用，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器和電機驅(qū)動等場合。在實際應用中，需注意其工作溫度范圍，確保不超過規(guī)定的極限值以避免損壞。當用于電機驅(qū)動電路時，應合理設計散熱措施，保證良好的熱傳導性能來維持穩(wěn)定運行。同時要關注柵極驅(qū)動信號的完整性，防止因信號抖動或噪聲干擾導致開關狀態(tài)不穩(wěn)定。

STB70NF3LLT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STB70NF3LL View All Specifications
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
70A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.5 毫歐 @ 35A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1650pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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