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STD96N3LLH6

更新時間:2025-06-06 23:20:42

供應商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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STD96N3LLH6外觀圖

STD96N3LLH6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD96N3LLH6 概述

STD96N3LLH6是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的STripFET技術(shù)，具有低導通電阻和柵極電荷的特點，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為30V，適合在低壓電源管理系統(tǒng)中使用。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、同步整流電路以及電池充電管理等便攜式設備電源管理領域。在筆記本電腦、平板電腦和其他消費類電子產(chǎn)品中廣泛應用。使用時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓，確保MOSFET充分開啟以降低導通損耗。設計PCB布局時要特別注意減小源極引腳的寄生電感，以優(yōu)化開關(guān)性能并減少電磁干擾。建議查閱產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊獲取詳細的電氣特性參數(shù)和推薦工作條件。

STD96N3LLH6 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫歐 @ 40A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2200pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-11214-6

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廣東微爾科技有限公司

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