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STF6N65M2

更新時間:2025-07-12 08:05:23

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
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詢價

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STF6N65M2 概述

STF6N65M2是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術(shù)，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達4A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。典型應用場景包括開關(guān)電源、適配器、LED驅(qū)動器和太陽能逆變器等需要高效率和可靠性的場合。在電路設(shè)計中，建議使用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電阻來控制開關(guān)速度，并確保合適的PCB布局以優(yōu)化散熱性能。需要注意的是，由于其較高的擊穿電壓，在實際應用中要避免超過最大額定值，防止器件損壞。此外，合理的緩沖電路設(shè)計可以進一步提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

STF6N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
300現(xiàn)貨
系列
MDmesh?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
1.35 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
9.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
226 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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廣東微爾科技有限公司

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