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STGF6NC60HD

更新時間:2025-06-12 22:44:09

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STGF6NC60HD外觀圖

STGF6NC60HD

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT N-CH 600V 6A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STGF6NC60HD 概述

STGF6NC60HD是意法半導體生產(chǎn)的一款功率MOSFET，專門用于高效功率轉換應用。該器件采用先進的溝槽柵極技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，有助于減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此MOSFET適用于多種電源管理場景，如不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器、電機驅動以及工業(yè)自動化設備等。在這些應用中，它能有效處理高電壓和大電流，確保穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。使用時應注意其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流能力為7.2A。設計電路時應充分考慮散熱管理，以避免因過熱導致的性能下降或損壞。推薦在PCB布局時增加足夠的銅箔面積來幫助散熱，并按照制造商建議選擇合適的柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關速度。

STGF6NC60HD 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STGF6NC60HD View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，3A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6A
功率 - 最大
20W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-5116-5

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