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STL120N2VH5

更新時間:2025-05-26 19:30:16

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STL120N2VH5外觀圖

STL120N2VH5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56

封裝:8-PowerVDFN

STL120N2VH5 概述

STL120N2VH5是由意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的HEXFET技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能電源管理應用。其最大漏源電壓為20V，連續(xù)漏極電流可達120A，適合用于高密度、高效能的同步整流器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中。由于其出色的熱性能和低柵極電荷，特別適用于需要快速開關(guān)和低損耗的應用場景，如服務器電源、電信設備以及工業(yè)自動化系統(tǒng)中的電機驅(qū)動柵極電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保良好的散熱設計以維持長期穩(wěn)定工作。

STL120N2VH5 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫歐 @ 14A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
700mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 2.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4660pF @ 15V
功率 - 最大
80W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商設備封裝
PowerFlat?（5x6）
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12978-6

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