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STL16N65M5

更新時間:2025-07-10 13:55:16

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STL16N65M5外觀圖

STL16N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT

封裝:5-PowerFlat? HV

STL16N65M5 概述

STL16N65M5是由STMicroelectronics生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效能電源轉換應用。其最大漏源電壓為650V，適合在高壓電路中使用。典型應用場景包括服務器電源、太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)以及各種工業(yè)和消費類電子設備中的開關電源設計。在實際應用中，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的驅動電壓以充分開啟MOSFET，通常需要至少10V的柵極電壓才能達到最佳導通狀態(tài)。此外，在布局PCB時應盡量縮短源極到柵極之間的走線長度，減少寄生電感的影響，從而避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于高頻應用，還應注意選擇合適的柵極電阻來優(yōu)化開關性能。

STL16N65M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STL16N65M5 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
299 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1250pF @ 100V
功率 - 最大
3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
5-PowerFlat? HV
供應商設備封裝
PowerFLAT?（8x8）
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-12270-6

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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