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STN3N45K3

更新時間:2025-07-11 07:36:50

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STN3N45K3外觀圖

STN3N45K3

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

STN3N45K3 概述

STN3N45K3是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用先進的第三代MDmesh技術。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓(Vds)為450V，連續(xù)漏極電流(Id)可達3A，在25℃環(huán)境溫度下。該MOSFET特別適合于高頻開關電源、照明控制、電機驅(qū)動等應用場合。在具體應用中，由于其快速開關特性和低導通損耗，建議用于DC-DC轉(zhuǎn)換器或AC-DC適配器設計中。使用時應注意適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路設計，確保足夠的驅(qū)動電壓(典型值為10V)以達到最佳性能。同時需考慮散熱設計，避免長時間工作在高溫環(huán)境下導致器件損壞。

STN3N45K3 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STN3N45K3 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH3™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
450V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
600mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.8 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-10649-6

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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