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STP11NM60ND

更新時間:2025-05-20 22:03:05

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STP11NM60ND外觀圖

STP11NM60ND

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

封裝:TO-220-3

STP11NM60ND 概述

STP11NM60ND是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等應用場合。其柵極電荷較低，有助于降低驅(qū)動損耗并提高整體效率。在電機驅(qū)動電路中也能發(fā)揮良好性能。使用時需注意保證足夠的散熱措施，避免因過熱導致器件損壞。在設計PCB布局時，應盡量減小源極和柵極的引線長度以減少寄生電感影響。對于高壓應用環(huán)境要確保足夠的電氣間隙和爬電距離。

STP11NM60ND 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP11NM60ND View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-8442-5

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