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STP8NM60

更新時間:2025-06-17 14:28:54

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

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原裝現(xiàn)貨，實單來談，配套服務

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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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專營三極管質量保證

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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十年配單，只做原裝

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STP8NM60外觀圖

STP8NM60

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 8A TO-220

封裝:TO-220-3

STP8NM60 概述

STP8NM60是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，專為高壓應用設計。該器件的最大漏源電壓（Vds）為600V，適用于多種工業(yè)和消費類電子設備中。其低導通電阻（Rds(on)）特性有助于減少功耗并提高能效，在高頻開關電源、電機驅動以及照明控制系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器和電動工具等需要高效功率轉換的場合。使用時應注意柵極驅動電路的設計，確保在開關過程中能夠提供足夠的驅動電壓和電流，以實現(xiàn)最佳性能并防止過熱損壞。

STP8NM60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
400pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-5397-5STP8NM60-ND

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