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使用于嵌入式功率系統(tǒng)的先進(jìn)100V MOSFET器件
...在大多數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域都具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。這種技術(shù)可在單一器件里同時(shí)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性關(guān)鍵參數(shù)如Rds(on) 、Qg、Qgd、Crss/Ciss比值和卓越的抗雪崩能力等。低導(dǎo)通電阻Rds(on) [12.5mΩ(max)@D-Pak,5.1mΩ(max)@D2-Pak]加上快速開(kāi)關(guān)能力,以及卓越的抗雪崩能力使OptiMOS2 100V成為安全、高性能和高功率密度應(yīng)用的正確選擇。 1.抗雪崩能力 雖然電感負(fù)載在電機(jī)控制及類似應(yīng)用中存在,但在嵌入...
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