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參數(shù)信息：

制造商：Infineon

產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules

配置：Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V

集電極—射極飽和電壓：2.6 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：650 A

柵極—射極漏泄電流：400 nA

功率耗散：3.1 KW

最大工作溫度：+ 125 C

 更多參數(shù)信息

FD401R17KF6C_B2歷史價格

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  • 昆山隆誠翔電子有限公司 18年

  • FD401R17KF6C_B2

  • 普通庫存 
  • infineon
  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝
  • 24+
  • 8800
  • 原廠授權(quán)代理商主營IGBT模塊 可控硅模塊 二極管 晶

    10-24 15:13

  • 詢價
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