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FD800R17KF6C_B2

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FD800R17KF6C...
參數(shù)信息:

制造商:Infineon

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V

集電極—射極飽和電壓:2.6 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:1300 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

功率耗散:6.25 KW

最大工作溫度:+ 125 C

 更多參數(shù)信息

FD800R17KF6C_B2歷史價(jià)格

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榜上有名
  • 上海方整科技有限公司 3

  • FD800R17KF6C_B2

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 
  • Infineon
  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝
  • 22+
  • 6055
  • 全新原裝進(jìn)口 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保一年

    10-25 09:00

  • 詢(xún)價(jià)
  • 安徽紐本科技有限公司 4

  • FD800R17KF6C_B2

  • 普通庫(kù)存 
  • INFINEON/英飛凌
  • MODULE
  • 24+
  • 1008
  • 全新原裝原盒原標(biāo)、實(shí)物實(shí)拍、型號(hào)齊全、價(jià)格優(yōu)惠、

    10-25 10:00

  • 詢(xún)價(jià)
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