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制造商:Infineon
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V
集電極—射極飽和電壓:2.6 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:1300 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
功率耗散:6.25 KW
最大工作溫度:+ 125 C
FD800R17KF6C_B2歷史價(jià)格
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