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FQB34P10TM

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FQB34P10 FQB34N20TM_AM002 FQB34N20TM AM002 FQB34N20TM FQB34N20LTM-NL FQB34N20LTM FQB34N20L FQB34N20 FQB33N10TM-NL FQB33N10TM FQB3652

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FQB34P10TM外觀圖
圖像僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Switches for Power Processing

標(biāo)準(zhǔn)包裝：800

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：QFET™

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型

漏極至源極電壓(Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：33.5A

 更多參數(shù)信息

FQB34P10TM歷史價(jià)格

(最低報(bào)價(jià)：￥2.20最高報(bào)價(jià)：￥2.20平均報(bào)價(jià)：￥2.20)

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  • 深圳市金和信科技有限公司 15年

  • FQB34P10TM

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 
  • ONSEMI/安森美
  • TO-263
  • 2303+
  • 3000
  • 不上現(xiàn)貨排名，有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，照樣拿單，上具體批次，只做原裝，放心來(lái)問(wèn)，15年芯片銷售經(jīng)驗(yàn)

    10-10 16:08

  • 詢價(jià)
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