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標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：300mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11.5 歐姆 @ 150mA，10V
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