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電源電壓:3.3V設備VCC=2.7~3.6V;結構:存儲器單元陣列:(32M+1024K)×8位,數據存儲器:(512+16)×8位;自動編程和擦除:頁編程:(512+16)字節(jié),塊擦除:(16K+512)字節(jié);頁讀操作:頁大。(512+16)字節(jié),隨機存。15μs(最大值),串行訪問:50ns(最小值); 快速寫周期時間:編程時間200μS(典型值),塊擦除時間:2ms(典型值); 指令/地址/數據復用I/O端口; 硬件數據保護:在電源轉換過程中編程/擦除鎖定; 可靠的CMOS準浮柵技術,100k次編程/擦除周期,10年的數據保留時間; 指令存儲器操作; 封裝:48引腳的TSOP和WSOP封裝,63引腳的FBGA封裝;工作溫度:-40~+125℃
引腳圖:-

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