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電源電壓：2.65/設(shè)備VCC＝2.4～2.9V； 結(jié)構(gòu)：存儲器單元陣列：(16M＋512K)×16位,數(shù)據(jù)存儲器：(256＋8)×16位； 自動編程和擦除：頁編程：(256＋8)字,塊擦除：(8K十256)字； 頁讀操作：頁大小：(256＋8)字,隨機存�。�10μs(最大值),串行訪問：50ns(最小值)； 快速寫周期時間：編程時間：200μs(典型值),塊擦除時間：2ms(典型值)； 指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口； 硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定； 可靠的CMOS準浮柵技術(shù),100k次編程/擦除周期,10年的數(shù)據(jù)保留時間； 指令存儲器操作； 上電自讀操作； 安全鎖機制； 封裝：48引腳的TSOP封裝,63引腳的TBGA封裝；工作溫度：－40～＋125℃
引腳圖：-
K9F5616DOC-HIBO引腳圖
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