K9F5616DOC-JIBO K9F5616D0C-JIB0 K9F5608UOM-YIBO K9F5608UOM-YCBO K9F5608UOM-VIBO K9F5608UOM K9F5608UOD-YCBO K9F5608UOD-PIBO K9F5608UOD-PIB0 K9F5608UOD-PCBO K9F5616Q0C
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K9F5616DOC-YCBO相關技術應用
電源電壓：2.65/設備VCC＝2.4～2.9V； 結構：存儲器單元陣列：(16M＋512K)×16位,數據存儲器：(256＋8)×16位； 自動編程和擦除：頁編程：(256＋8)字,塊擦除：(8K十256)字； 頁讀操作：頁大�。�(256＋8)字,隨機存取：10μs(最大值),串行訪問：50ns(最小值)； 快速寫周期時間：編程時間：200μs(典型值),塊擦除時間：2ms(典型值)； 指令/地址/數據復用I/O端口； 硬件數據保護：在電源轉換過程中編程/擦除鎖定； 可靠的CMOS準浮柵技術,100k次編程/擦除周期,10年的數據保留時間； 指令存儲器操作； 上電自讀操作； 安全鎖機制； 封裝：48引腳的TSOP封裝,63引腳的TBGA封裝；工作溫度：－10～＋125℃
引腳圖：-
K9F5616DOC-YCBO引腳圖
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