K9F5616UOB-DIBO K9F5616UOB K9F5616QOC-HIBO K9F5616QOC K9F5616Q0C-JIB0 K9F5616Q0C K9F5616DOC-JIBO K9F5616D0C-JIB0 K9F5608UOM-YIBO K9F5608UOM-YCBO K9F5616UOB-PCBO
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K9F5616UOB-HCBO相關(guān)技術(shù)應(yīng)用
電源電壓：3.3V設(shè)備VCC＝2.7～3.6V； 結(jié)構(gòu)：存儲器單元陣列：(16M＋512K)×16位，數(shù)據(jù)存儲器：(256＋8)×16位；自動編程和擦除：頁編程：(256＋8)字，塊擦除：(8K＋256)字；頁讀操作：頁大小：(256＋8)字，隨機存取：10μs(最大值)，串行訪問：50ns(最小值)； 快速寫周期時間：編程時間：200μs(典型值)，塊擦除時間：2ms(典型值)； 指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口； 硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定； 可靠的CMOS準浮柵技術(shù)，100k次編程/擦除周期，10年的數(shù)據(jù)保留時間； 指令存儲器操作； 封裝：48引腳的TSOP封裝，63引腳的TBGA封裝；工作溫度：－10～＋125℃
引腳圖：-
K9F5616UOB-HCBO引腳圖
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