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電源電壓：3.3V設(shè)備VCC＝2.7～3.6V； 結(jié)構(gòu)：存儲(chǔ)器單元陣列：(16M＋512K)×16位，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：(256＋8)×16位；自動(dòng)編程和擦除：頁編程：(256＋8)字，塊擦除：(8K＋256)字；頁讀操作：頁大�。�(256＋8)字，隨機(jī)存�。�10μs(最大值)，串行訪問：50ns(最小值)； 快速寫周期時(shí)間：編程時(shí)間：200μs(典型值)，塊擦除時(shí)間：2ms(典型值)； 指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口； 硬件數(shù)據(jù)保護(hù)：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定； 可靠的CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù)，100k次編程/擦除周期，10年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間； 指令存儲(chǔ)器操作； 封裝：48引腳的TSOP封裝，63引腳的TBGA封裝；工作溫度：－40～＋125℃
引腳圖：-
K9F5616UOB-HIBO引腳圖
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