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電源電壓：Vcc＝2.7～3.6V； 結(jié)構(gòu)：存儲器單元陣列：(512M＋16384K)×8位,數(shù)據(jù)存儲器：(2K＋64)×8位,緩存存儲器：(2K＋64)×8位； 自動編程和擦除：頁編程：(2K＋64)字節(jié),塊擦除：(128K＋4K)字節(jié)； 頁讀操作：頁大小：2KB,隨機存�。�25μs(最大值),串行訪問：30ns(最小值)； 快速寫周期時間：編程時間：300μs(典型值),塊擦除時間：2ms(典型值)；指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口； 硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定； 可靠的CMOS準浮柵技術(shù),100k次編程/擦除周期,10年的數(shù)據(jù)保留時間； 指令存儲器操作；上電自讀操作； 封裝：48引腳的TSOP封裝；工作溫度：-10～＋125℃
引腳圖：-
K9K4G08U0M-PCB0引腳圖
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