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1. 表示供應(yīng)商具有較高市場(chǎng)知名度，口碑良好，繳納了2萬(wàn)保證金，經(jīng)維庫(kù)認(rèn)證中心嚴(yán)格審查。
2. 供應(yīng)商承諾此料號(hào)是“現(xiàn)貨” ，如果無(wú)貨或數(shù)量嚴(yán)重不足(實(shí)際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎(jiǎng)勵(lì)您500元。
1680
DO201A/15+
全新原裝現(xiàn)貨熱賣(mài)
1680
DO201A/15+
全新原裝現(xiàn)貨熱賣(mài)
24000
2023+/DO27
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1.5KE110CA
20
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1.5K,0402
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呆滯料清倉(cāng)特價(jià)
1.5KE400ARL
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原裝現(xiàn)貨，假一賠十
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原裝現(xiàn)貨，數(shù)量多可訂貨
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Brightking/23+
全新原裝現(xiàn)貨原標(biāo)簽薄利多銷(xiāo)
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原裝現(xiàn)貨，歡迎咨詢(xún)
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原廠(chǎng)渠道商，可支持60天賬期及180天承兌
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原裝假一賠十現(xiàn)貨
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房間現(xiàn)貨
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1.5KE12A TB
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原廠(chǎng)原裝/現(xiàn)貨庫(kù)存
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原裝現(xiàn)貨，支持實(shí)單
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原裝現(xiàn)貨，價(jià)格
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Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt...
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泰迪斯
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STMicroelectronics
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SSE
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TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SSE [Shanghai Sunrise Electronics]
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引言：usb 低速設(shè)備的設(shè)計(jì)發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)有了相當(dāng)?shù)某墒於取?各家ic公司都推出了usb device端的解決方案, 一般以8 bit cpu core + usb sie為主流構(gòu)架。 sh69p04是中穎電子(sinowealth)本著豐富usb產(chǎn)品應(yīng)用,降低usb ic成本而設(shè)計(jì)的4bit otp單片機(jī), 用以開(kāi)發(fā)usb device設(shè)備。 sh69p04的功能及特點(diǎn) 如圖1, sh69p04集成了usb sie, 支持usb和ps2端口復(fù)用。 內(nèi)建1.5k可控上拉電阻為用戶(hù)節(jié)約成本, 并能建立和pc穩(wěn)定的通訊。 專(zhuān)門(mén)為mouse設(shè)計(jì)的i/o端口。 雙clock系統(tǒng)使ic耗電更少, 輕易滿(mǎn)足usb-if對(duì)suspend電流的要求。 8k×16 bit的otp rom, 方便用戶(hù)開(kāi)發(fā)。 最大可支持40×8 的lcd顯示或31個(gè)i/o, 滿(mǎn)足用戶(hù)的各種應(yīng)用。 另外還內(nèi)建watch dog, low power detect功能。 1. usb和ps2端口共用 通過(guò)寄存器實(shí)現(xiàn)usb端口和ps2端口的切換 ps2pu = 1: 如果ps2
據(jù)向下帶離主機(jī)，如果收發(fā)器在外設(shè)側(cè)，它就會(huì)向上將數(shù)據(jù)送回主機(jī)。如果收發(fā)器在主機(jī)側(cè)，必須在d+、d- 引腳串接15kω ± 5% 的下拉電阻，這要求同時(shí)適用于低速、全速和高速傳輸。如果無(wú)集線(xiàn)器或外設(shè)接入，這些下拉電阻會(huì)將d+ 和d- 引腳的電平拉低。如果d+ 和 d- 的電平都低于vol (max)，控制asic 芯片監(jiān)測(cè)的主機(jī)側(cè)收發(fā)器將發(fā)出se0狀態(tài)信號(hào)，通知主機(jī)無(wú)外設(shè)接入，因此不能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。 在上行位的收發(fā)器有兩種不同配置，一個(gè)用于低速傳輸，一個(gè)用于全速或高速傳輸。當(dāng)配置全速數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，1.5kω ± 5%的上拉電阻會(huì)在d+ 線(xiàn)和3.3v之間進(jìn)行連接。如果收發(fā)器有提供3.3v上拉電壓，最好使用這個(gè)電壓。例如，usb1t1102、usb1t1104 和usb1t1105都有內(nèi)部調(diào)壓器，在正常模式下工作時(shí)給vpu引腳提供3.3v電壓。一些供應(yīng)商如飛兆半導(dǎo)體還提供這些部件的"r"型款，包括在收發(fā)器內(nèi)帶有1.5kω的上拉電阻，免除了外接電阻的需要 (本文稍后將詳細(xì)介紹正常模式的配置)。假如使用usb電纜將外設(shè)連接到主機(jī)上，主機(jī)側(cè)控制器會(huì)檢測(cè)到有外設(shè)接入，這是由1.5kω上拉電阻實(shí)現(xiàn)的，它將抵消
備的設(shè)計(jì)發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)有了相當(dāng)?shù)某墒於取?各家ic公司都推出了usb device端的解決方案, 一般以8 bit cpu core + usb sie為主流構(gòu)架。 sh69p04是中穎電子(sinowealth)本著豐富usb產(chǎn)品應(yīng)用,降低usb ic成本而設(shè)計(jì)的4bit otp單片機(jī), 用以開(kāi)發(fā)usb device設(shè)備。 sh69p04的功能及特點(diǎn) 圖1 如圖1, sh69p04集成了usb sie, 支持usb和ps2端口復(fù)用。 內(nèi)建1.5k可控上拉電阻為用戶(hù)節(jié)約成本, 并能建立和pc穩(wěn)定的通訊。 專(zhuān)門(mén)為mouse設(shè)計(jì)的i/o端口。 雙clock系統(tǒng)使ic耗電更少, 輕易滿(mǎn)足usb-if對(duì)suspend電流的要求。 8k×16 bit的otp rom, 方便用戶(hù)開(kāi)發(fā)。 最大可支持40×8 的lcd顯示或31個(gè)i/o, 滿(mǎn)足用戶(hù)的各種應(yīng)用。 另外還內(nèi)建watch dog, low power detect功能。 1. usb和ps2端口共用 通過(guò)寄存器實(shí)現(xiàn)usb端口和ps2端口的切換 ps2pu = 1: 如
tcp/ip協(xié)議這樣關(guān)系復(fù)雜的程序，我們必須根據(jù)實(shí)際情況盡可能挖掘51單片機(jī)的性能。綜合來(lái)說(shuō)，單片機(jī)實(shí)現(xiàn)與unix實(shí)現(xiàn)tcp/ip有如下區(qū)別： (1)操作系統(tǒng)：windows或unix都是多任務(wù)操作系統(tǒng)，這使得代碼編寫(xiě)簡(jiǎn)單化，在單片機(jī)只能是單任務(wù)系統(tǒng)，代碼結(jié)構(gòu)為順序執(zhí)行+硬件中斷的方式，無(wú)法并發(fā)執(zhí)行。 (2)內(nèi)存分配：windows或unix的內(nèi)存分配是動(dòng)態(tài)的。而一般單片機(jī)只有外接的一塊32k字節(jié)的ram，并同時(shí)被各個(gè)協(xié)議使用。一個(gè)最大的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包有1.5k字節(jié)，分配一包的緩沖區(qū)就要1.5k字節(jié)。為此，我們分配一個(gè)256×6=1536個(gè)字節(jié)的固定的ram來(lái)存放收到的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)包。收到一包就處理一包。 (3)指針：在pc里所有程序都必須先放在ram里才能運(yùn)行，所以它的指針都指向ram。而單片機(jī)的結(jié)構(gòu)和pc的結(jié)構(gòu)有很大差別，指針類(lèi)型很多，各指針運(yùn)算的速度也不一樣，特別是“一般指針”運(yùn)算很慢，還會(huì)占用很多程序空間。unix實(shí)現(xiàn)tcp/ip的源代碼中，用得最多的就是指針，而在單片機(jī)里一般要求少用指針，或使用特定類(lèi)型的指針。對(duì)使用uni
鉗位二極管用于保護(hù)ic免受過(guò)壓沖擊。應(yīng)用電路的外部去耦電容可將esd電壓限制在安全水平。然而，小容量的去耦電容可能影響ic的保護(hù)電路。如果使用小去耦電容，通常需要外部esd電壓鉗位二極管。 esd傳遞模式 esd電平用電壓描述，這個(gè)電壓源干與ic相連的電容上的儲(chǔ)存電荷。一般不會(huì)考慮有上千伏的電壓作用于ic。為了評(píng)估傳遞給ic的能量，需要一個(gè)模擬放電模型的測(cè)試裝置。 esd測(cè)試中一般使用兩種充電模式(圖1)，人體模式(hbm)下將電荷儲(chǔ)存在人體模型(100pf等效電容)中，通過(guò)人體皮膚放電(1.5kω等效電阻)。機(jī)器模式(mm)下將電荷儲(chǔ)存在金屬物體，機(jī)器模式中的放電只受內(nèi)部連接電感的限制。 以下概念對(duì)于評(píng)估集成電路內(nèi)部的esd傳遞非常有用： 1．對(duì)于高于標(biāo)稱(chēng)電源的電壓來(lái)說(shuō)，ic阻抗較低。 iesd=vesd／z zhbm=1.5kω 2．在機(jī)器模式下，電流受特征阻抗(約50ω )的限制。 zmm=v／i=l／c0 低阻能量損耗： e=1／2c0×v2和e=1／2l×i2 3．如果esd電流主要流入電源去耦電容，施加到ic的電壓由固定電荷量決定：
產(chǎn)品型號(hào):1.5KE91ARL4
JEDEC(電子器件工程聯(lián)合會(huì))型號(hào):1N6294A
雪崩電壓VBR(V):91
峰值反向工作電壓VRWM(V):1
最大反向漏電流IR(uA):77.800
最大反向浪涌電流IRSM(A):5
最大反向電壓(鉗位電壓)VRSM(V):12
封裝/溫度(℃):軸...
產(chǎn)品型號(hào):1.5KE9.1ARL4G
JEDEC(電子器件工程聯(lián)合會(huì))型號(hào):1N6270A
雪崩電壓VBR(V):9.100
峰值反向工作電壓VRWM(V):7.780
最大反向漏電流IR(uA):50
最大反向浪涌電流IRSM(A):112
最大反向電壓(鉗位電壓)VRSM(V):13.400
封裝/...
產(chǎn)品型號(hào):1.5KE9.1AG
JEDEC(電子器件工程聯(lián)合會(huì))型號(hào):1N6270A
雪崩電壓VBR(V):9.100
峰值反向工作電壓VRWM(V):7.780
最大反向漏電流IR(uA):50
最大反向浪涌電流IRSM(A):112
最大反向電壓(鉗位電壓)VRSM(V):13.400
封裝/溫度...
產(chǎn)品型號(hào):1.5KE9.1A
JEDEC(電子器件工程聯(lián)合會(huì))型號(hào):1N6270A
雪崩電壓VBR(V):9.100
峰值反向工作電壓VRWM(V):1
最大反向漏電流IR(uA):7.780
最大反向浪涌電流IRSM(A):50
最大反向電壓(鉗位電壓)VRSM(V):112
封裝/溫度(℃):...
產(chǎn)品型號(hào):1.5KE82A
JEDEC(電子器件工程聯(lián)合會(huì))型號(hào):1N6293A
雪崩電壓VBR(V):82
峰值反向工作電壓VRWM(V):1
最大反向漏電流IR(uA):70.100
最大反向浪涌電流IRSM(A):5
最大反向電壓(鉗位電壓)VRSM(V):13.300
封裝/溫度(℃):軸...
n總線(xiàn)通訊、數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和大量的數(shù)學(xué)運(yùn)算，發(fā)揮其運(yùn)算能力強(qiáng)的特長(zhǎng)；采集單元采用max125，實(shí)現(xiàn)32通道16路同時(shí)、高速、14位分辨率采樣；人機(jī)接口單元采用液晶顯示，中文菜單操作。 2tms320lf2407a的特點(diǎn) (1)高性能靜態(tài)cmos技術(shù)使得供電電壓降為3.3v，減小了芯片的功耗；30mips的執(zhí)行速度使得指令周期縮短到33ns，從而提高了芯片的實(shí)時(shí)運(yùn)算能力，同時(shí)也給我們實(shí)時(shí)分析采樣到的信號(hào)的暫態(tài)信息提供了條件。 (2)片內(nèi)有高達(dá)32k字的flash程序存儲(chǔ)器，高達(dá)1.5k字的數(shù)據(jù)/程序ram，544字雙口ram(daram)，1.5k字單口ram(saram)。外部可擴(kuò)展的存儲(chǔ)器總共192k字，64k字程序存儲(chǔ)器，64k字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器，64k字i/o尋址空間。這有利于我們存儲(chǔ)采樣的數(shù)據(jù)，在分析暫態(tài)信息的同時(shí)，還提供盡量多的穩(wěn)態(tài)信息。 (3)can控制器模塊是一個(gè)完整的can控制器，它是一個(gè)16位的外設(shè)模塊，完全支持can2.0b協(xié)議。所以，我們可以通過(guò)can總線(xiàn)很方便地集成到電力綜合自動(dòng)化系統(tǒng)中。 (4)具有串行通信模塊(sci)，接收器和發(fā)送器是雙緩
壓的130%—150%。 4、輸出欠壓保護(hù)測(cè)試。當(dāng)輸出電壓在標(biāo)準(zhǔn)值以下時(shí)，檢測(cè)輸出電壓下降或?yàn)楸Ｗo(hù)負(fù)載及防止誤操作而停止電源并發(fā)出報(bào)警信號(hào)，多為輸出電壓的80%——30%左右。 5、過(guò)熱保護(hù)測(cè)試。在led設(shè)備內(nèi)部發(fā)生異?；蛞蚴褂貌划?dāng)而使電源溫升超標(biāo)時(shí)停止電源的工作并發(fā)出報(bào)警信號(hào)。 6、漏電流測(cè)試。漏電流是流經(jīng)輸入側(cè)地線(xiàn)的電流，在led設(shè)備中主要是通過(guò)靜噪濾波器的旁路電容器泄露電流。ul、csa均要求暴露的不帶電的金屬部分均應(yīng)與大地相接，漏電流測(cè)量是通過(guò)將這些部分與大地之間接一個(gè)1.5k歐的電阻，其漏電流應(yīng)該不大于5毫安。vde允許：用1.5k歐的電阻與 150np電容并接。并施加1.06倍額定使用電壓，對(duì)數(shù)據(jù)處理設(shè)備，漏電流應(yīng)不大于3.5毫安。一般是1毫安左右。 7、絕緣電阻測(cè)試。vde要求：輸入和低電壓輸出電路之間應(yīng)有7m歐的電阻，在可接觸到的金屬部分和輸入之間，應(yīng)有2m歐的電阻或加500v直流電壓持續(xù)1分鐘。 費(fèi)思ft6300a系列電子負(fù)載在對(duì)led設(shè)備做測(cè)試時(shí)，可以對(duì)測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)的異常(如過(guò)電流、過(guò)電壓、過(guò)功率、輸入反接、過(guò)熱和失控等)現(xiàn)象采取相應(yīng)
基本單位：ω（歐姆），還有kω（千歐），mω（兆歐）。 1mω=103kω=106ω 貼片電阻的表示方法： 貼片上的默認(rèn)單位ω，最小的單位。 如：152表示在15的后面加2個(gè)“0”，即1500ω=1.5kω， 所以 貼片上的152就等同于1.5kω。 又如：474表示470kω。 片狀電阻器有矩形和圓柱形兩種
系統(tǒng)性能，增強(qiáng)設(shè)計(jì)的靈活性，多采用dsp或?qū)Ｓ脝纹瑱C(jī)等智能器件。但是，這樣在提高系統(tǒng)性能的同時(shí)卻增加了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)成本。為了設(shè)計(jì)一個(gè)高性能、低成本的開(kāi)發(fā)平臺(tái)，針對(duì)應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)硬件的要求，考慮到pic18f452單片機(jī)的高性?xún)r(jià)比，選用其作為主控器件。pic18f452是microchip公司推出的一款增強(qiáng)型8位單片機(jī)，采用精簡(jiǎn)指令集（risc）的設(shè)計(jì)，有兩級(jí)流水線(xiàn)，最高運(yùn)行頻率可達(dá)到10mips，能夠滿(mǎn)足系統(tǒng)對(duì)實(shí)時(shí)性的要求；指令總線(xiàn)16位寬，數(shù)據(jù)總線(xiàn)8位寬；單片機(jī)內(nèi)部有32k字節(jié)的flash程序存儲(chǔ)器，1.5k字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和256字節(jié)的eeprom，便于系統(tǒng)的擴(kuò)展；自帶8×8硬件乘法器；中斷資源豐富，提供18個(gè)中斷源，兩個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)，并且中斷優(yōu)先級(jí)可配置。pic18f452單片機(jī)配備了豐富的外圍模塊，極大地簡(jiǎn)化了單片機(jī)外圍電路的設(shè)計(jì)。同時(shí)，microchip公司為pic18f系列單片機(jī)提供了功能強(qiáng)大的指令集，共77條指令，絕大部分指令為單字（2個(gè)字節(jié)）存儲(chǔ)，單周期執(zhí)行，應(yīng)用代碼的存儲(chǔ)壓縮率高，指令執(zhí)行效率高。以pic18f452為主控器件構(gòu)成的系統(tǒng)硬件框圖如圖1所示。值得說(shuō)明的是： ① 系統(tǒng)中的
jb8采用6m晶體接osc1和osc2間，fps110采用12m晶體接xtal1和xtal2之間。 3)fps110和mc68hc908jb8接口設(shè)計(jì) 。 mc68hc908jb8有五組通用接口pta，ptb,ptc,ptd,pte.。設(shè)計(jì)中選用ptb口和ptc口于fps110連接，ptb口用于數(shù)據(jù)通信，ptc口用于控制。具體連接如圖3所示 4)usb接口設(shè)計(jì)。 mc68hc908jb8片上集成的是1.5mb的低速u(mài)sb模塊。根據(jù)usb協(xié)議，需要在d-上加一個(gè)1.5k的上拉電阻到3.3伏，連接如圖4所示。 系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì) 系統(tǒng)軟件設(shè)計(jì)分為四個(gè)部分，分別是mc68hc908jb8上的usb固件設(shè)計(jì)，指紋采集程序設(shè)計(jì)，計(jì)算機(jī)上的usb驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和演示程序設(shè)計(jì) 1.mc68hc908jb8上的usb固件設(shè)計(jì) 單片機(jī)的開(kāi)發(fā)環(huán)境選用metrowerks的codewarriorstudio集成開(kāi)發(fā)軟件，在線(xiàn)仿真和編程工具選用了p&emicrocomputersystems公司的mon08multilink。 mc68hc9
dn-35的外圍元件很少，要求的輸入、輸出電容的容量也很小，整個(gè)電源尺寸可做得較小。以下是幾例dn-35的典型應(yīng)用電路。 1.輸出電壓可連續(xù)調(diào)整、不限流的電路 輸出電壓可連續(xù)調(diào)整，輸出電流不加限制的典型電路如圖2-34所示。輸出電壓： v0=vref（1+r2/r1） 式中vref為內(nèi)部基準(zhǔn)電壓，可按2.77v計(jì)算。r1、r2為決定輸出電壓分壓電阻。r1的阻值在500ω？1.5kω范圍內(nèi)選取。 按圖2-34的參數(shù)來(lái)計(jì)箅，當(dāng)r2調(diào)到最大值10kω時(shí)，輸出約36v；當(dāng)r2調(diào)到最小為零時(shí)，輸出約為2.77v。 2.不限流、固定輸出電壓 dn-35也可作固定電壓輸出穩(wěn)壓器，其要求輸出的電壓可在2.85 ~ 36v范圍內(nèi)任意設(shè)定，僅由r1、r2的阻值決定。當(dāng)r1=0.5~ 1.5kω選定后，r2可根據(jù)要求計(jì)算出來(lái)。輸入電壓v1要比輸出電壓大2~2.5v。幾種典型輸出電壓與r1、r2的關(guān)系如表2-4所示。 3.輸出電壓連續(xù)可調(diào)、輸出電流加以限制的電路 輸出電壓連續(xù)可調(diào)，輸出電流加以限制的電路如圖2 - 35 所示。該電路基本與圖2-34一樣，僅在5腳與2腳之間加一個(gè)限流
帶有數(shù)碼顯示的穩(wěn)壓電源的電路如圖所示。 具有數(shù)碼顯示功能的穩(wěn)壓電源電路 電路工作原理：該電路由兩部分組成，即電源部分和顯示部分。（以制作3v和6v電源為例）。電源部分是由電壓可調(diào)的穩(wěn)壓塊lm317組成的穩(wěn)壓電源，由變壓器一次輸出約10v交流電壓經(jīng)過(guò)全波整流和電容濾波后，進(jìn)人lm3l7穩(wěn)壓。在lm317的調(diào)整端通過(guò)開(kāi)關(guān)s-i接入不同阻值的電阻，lm317的輸出端便可輸出3、6v的電壓，再經(jīng)過(guò)電容濾波后即可使用。 顯示部分是市電經(jīng)過(guò)電容g1、c2濾波、1.5kω電阻降壓，接開(kāi)關(guān)s-2的公共端；數(shù)碼管的a、c、d、g段接s-2的公共端；f、e和d段接s-2的另外兩端。開(kāi)關(guān)s-1和s-2是同時(shí)動(dòng)作的，是一個(gè)開(kāi)關(guān)的兩組觸點(diǎn)。當(dāng)撥動(dòng)此開(kāi)關(guān)時(shí)，在輸出3、6v電壓的同時(shí)，數(shù)碼管也顯示出數(shù)字來(lái)。 來(lái)源:ruanjuqingsi
電壓作為音樂(lè)ic或訊響器發(fā)出聲響的觸發(fā)電壓.圖2是印制電路圖. 實(shí)驗(yàn)點(diǎn)評(píng): 筆者作搭接實(shí)驗(yàn)時(shí),可控硅采用mcr100-8,l1、l2、l3均采用6v小燈泡,按圖接好線(xiàn)路,當(dāng)按下k1時(shí),燈l1亮,但此時(shí)按下k2時(shí),l2也亮,按k3時(shí)也一樣,不能實(shí)現(xiàn)搶答功能. 分析原因,在scr1導(dǎo)通時(shí),測(cè)得a點(diǎn)電位為2.2v,b點(diǎn)電位約1.2v(由于二極管正向壓降的離散性,兩只二極管正向壓降不足1.4v),ab間有約1v的電壓,故電壓可能會(huì)造成scr2或scr3的導(dǎo)通.于是調(diào)整r3,當(dāng)r3調(diào)為1.5kω時(shí),scr1導(dǎo)通后,scr2?scr3均不導(dǎo)通,能夠?qū)崿F(xiàn)文中所述搶答功能. 另外,在電源指示支路中,建議r1按下列公式求取:r1=(u1-u2)/i,式中u1為電源電壓,u2為發(fā)光二極管壓降,通常為1.8v,i為發(fā)光二極管工作電流,通常為5~15ma,因此,圖中r1選用5kω左右為宜. 來(lái)源:qick
+rp1×1/2）/（r4+r6+rp1×1/2）=±12.7v.四只場(chǎng)效應(yīng)管漏極實(shí)際供電電壓為12.7v-0.6v=12.1 v,保證場(chǎng)效應(yīng)管工作在低電壓狀態(tài)。vt1和vt5（另vt2和vt6, vt3和vt7, vt4和vt8）組成共源共基電路（俗稱(chēng)沃爾曼電路），這種電路組態(tài)具有其他線(xiàn)路無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)-頻響寬、失真低、增益高、線(xiàn)性好。rp1調(diào)節(jié)四只輸入級(jí)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵-源偏置電壓，進(jìn)而改變輸入級(jí)工作電流。本電路將輸入級(jí)電流設(shè)定在1.6ma,這樣r3, r5, r8, r10上的直流電壓降為1.5kω×1.6ma=2.4v. vt9, vt10和vt12, vt13接成共射-共基組態(tài)構(gòu)成電壓放大級(jí)。vd1, r12及vd2支路為共基管vt10, vt12基極提供恒定工作電壓。c4, cs并接于vd1, vd2兩端消除穩(wěn)壓二極管造成的噪聲干擾。r3, r8上的2.4v直流電壓降作為vt9, vt13的基極偏置電壓，將電壓放大級(jí)工作電流鉗位在（2.4v-0.6v） /300ω=6ma.音頻信號(hào)經(jīng)vt9, vt13共射放大后由其集電極進(jìn)入vt10, vt12組成的共基電路，并從兩管的集電
為±45v×（r6+rp1×1/2）/（r4+r6+rp1×1/2）=±12.7v.四只場(chǎng)效應(yīng)管漏極實(shí)際供電電壓為12.7v-0.6v=12.1 v,保證場(chǎng)效應(yīng)管工作在低電壓狀態(tài)。vt1和vt5（另vt2和vt6, vt3和vt7, vt4和vt8）組成共源共基電路，這種電路組態(tài)具有其他線(xiàn)路無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)-頻響寬、失真低、增益高、線(xiàn)性好。rp1調(diào)節(jié)四只輸入級(jí)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵-源偏置電壓，進(jìn)而改變輸入級(jí)工作電流。本電路將輸入級(jí)電流設(shè)定在1.6ma,這樣r3, r5, r8, r10上的直流電壓降為1.5kω×1.6ma=2.4v. vt9, vt10和vt12, vt13接成共射-共基組態(tài)構(gòu)成電壓放大級(jí)。vd1, r12及vd2支路為共基管vt10, vt12基極提供恒定工作電壓。c4, cs并接于vd1, vd2兩端消除穩(wěn)壓二極管造成的噪聲干擾。r3, r8上的2.4v直流電壓降作為vt9, vt13的基極偏置電壓，將電壓放大級(jí)工作電流鉗位在（2.4v-0.6v） /300ω=6ma.音頻信號(hào)經(jīng)vt9, vt13共射放大后由其集電極進(jìn)入vt10, vt12組成的共基電路，并從兩管的集電
建議樓主看看usb協(xié)議。在usb協(xié)議中，規(guī)定低速設(shè)備在d-上接1.5k的上拉電阻，用來(lái)表示低速設(shè)備。在全速和高速設(shè)備中，在d+上接1.5k的上拉電阻，表示全速設(shè)備，高速設(shè)備開(kāi)始也是當(dāng)作全速設(shè)備識(shí)別的，然后再切換到高速狀態(tài)。在d12中，內(nèi)部已經(jīng)有該1.5k的上拉電阻，可以由軟件控制其是否接通。d12是全速設(shè)備，因而該1.5k電阻是上拉到d+的。當(dāng)然，你也可以不使用d12內(nèi)部的1.5k上拉電阻而采用外部的上拉電阻。而你所看到的下拉電阻，是為了避免插頭拔下時(shí)電平不定用的，阻值要很大才行，不能影響數(shù)據(jù)的正常操作，一般用1m歐的。
一般外部接很大的下拉電阻，防止插頭未插入時(shí)電平浮動(dòng)。這個(gè)下拉電阻很大（例如1m），對(duì)正常通信時(shí)不會(huì)產(chǎn)生什么影響。usb規(guī)范要求usb全速設(shè)備需要在d+上接1.5k的上拉電阻，由于d12內(nèi)部有上拉電阻，所以可以省略外部的1.5k上拉電阻，這時(shí)需要軟件控制d12打開(kāi)內(nèi)部的上拉電阻。如果不用內(nèi)部的上拉電阻，那么應(yīng)該要外接一個(gè)1.5k的上拉電阻，這時(shí)d+上的1m下拉電阻可省略。我以前做過(guò)一個(gè)d12的板，外面一個(gè)上/下電阻都沒(méi)接，照樣很好的工作。
swg enamelled wire on 7.62mm diameter former with neosid f25 coil frequency of x1 mhz r1 r2 r3 r4 c1 c2 c3 l1 0.95 -1.65 68k 33k * 2.2k .0047mf 680 pf 680 pf 140 turns 1.6 - 2.5 68k 33k * 2.2k .0047mf 680 pf 680 pf 65 turns 2.5 - 4.0 68k 33k 560 ohm 1.5k .0047mf 220 pf 220 pf 65 turns 4.0 - 6.0 15k 6.8k 560 ohm 1.5k .001mf 270 pf 270 pf 40 turns 6.0 - 10.0 15k 6.8k 560 ohm 1.5k 150 pf 220 pf 220 pf 26 turns 10.0 - 15.0 15k 6.8k 560 ohm 680 ohm 100 pf 220 pf 220 pf 16 turns 15.0 - 21.0 15k 6.8k 560 o
在usb host端，有兩個(gè)15k的下拉電阻接在d+，d-上，平時(shí)為低電平在usb全速和高速設(shè)備中，在d+上接有1.5k的上拉電阻，在低速設(shè)備中，在d-上接有1.5k的上拉電阻。當(dāng)設(shè)備插入usb host時(shí)，d+或d-被拉高，這時(shí)主機(jī)識(shí)別到設(shè)備插入。并能判斷出低速還是全速設(shè)備。對(duì)于高速設(shè)備，首先也是被識(shí)別成全速設(shè)備，然后通過(guò)發(fā)送線(xiàn)性調(diào)頻脈沖序列來(lái)識(shí)別并轉(zhuǎn)入高速狀態(tài)。
樓上說(shuō)的對(duì)極了謝謝樓上的大俠，問(wèn)題已經(jīng)解決，確實(shí)是去掉了d+上拉電阻中的一個(gè)1.5k就好了，但是原理圖上卻是有的，是1.5k和1m電阻并聯(lián)構(gòu)成上拉，不明白是什么意思
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